SET多値メモリの高温動作化に向けたゲート-アイランド間結合容量の制御

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概要

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我々の提案する単一電子多値メモリでは、単一電子トランジスタのサイドゲート-アイランド間結合容量と基板ゲート-アイランド間結合容量の比を利用したcancellation法により、記憶ノードに蓄積された信号電荷による多値記憶信号を得ている。しかし、高温になるとSi基板中キャリアの活性化のため、結合容量にバイアス依存性が生じ、cancellation法に問題が生じる。その対策として、以下の2点により結合容量比を制御する必要があることを示した : (1)高濃度ドープ基板を用い、基板-アイランド間結合容量を一定にする、(2)高濃度ドープ基板を微細加工し、island電極が基板によりscreeningされる効果を最小限に抑える。以上の構造で、液体窒素以上の高温動作も可能になると考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-01-23

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