大容量フラッシュメモリの可能性を探る : 進行するフラッシュ革命のインパクト(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

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概要

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• 2008-04-10

著者

• 杉林 直彦

  Nec

• 佐圓 真

  日立製作所中央研究所

• 竹内 健

  東大

• 神田 和重

  東芝

• 篠崎 直冶

  Spansion

• 梶谷 一彦

  エルピーダ

• 柿原 俊男

  HGST

• 小林 三千夫

  Spansion

• 塚澤 寿夫

  東芝

• 佐圓 真

  日立

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