豊島 秀雄 | NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部

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概要

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• NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部の論文著者

関連著者

• 小池 洋紀

  NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部

• 豊島 秀雄

  NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部

• 山田 淳一

  Necエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムlsi事業部

• 三輪 達

  NECシリコンシステム研究所

• 山田 純一

  日本電気(株)

• 小池 洋紀

  NECシリコンシステム研究所

• 山田 淳一

  NECシリコンシステム研究所

• 豊島 秀雄

  NECシリコンシステム研究所

• 波田 博光

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 小林 壮太

  NEC

• 波田 博光

  NECシリコンシステム研究所

• 國尾 武光

  NECシリコンシステム研究所

• 小池 洋紀

  NEC Corporation

• 三輪 達

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 小池 洋紀

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 豊島 秀雄

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 國尾 武光

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 奈倉 健

  NEC

• 岡本 祐治

  NECアイシーマイコンシステムマイクロコンピュータ第一開発部

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 沖崎 宏明

  NECマイクロコンピュータ事業部

• 宮坂 洋一

  NEC基礎研究所

• 宮本 秀信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 五味 秀樹

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 北島 洋

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 山田 淳一

  NEC Corporation

• 山田 淳一

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 宮本 秀信

  Nec

• 豊島 秀雄

  NEC

• 田辺 伸広

  NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部

• 山田 淳一

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 三輪 達

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 小池 洋紀

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 前島 幸彦

  NECシリコンシステム研究所

• 三輪 達

  NEC Corporation

• 三輪 達

  Nec

• 森 秀光

  日本電気(株)

• 竹内 英代

  日本電気(株)

• 辰巳 徹

  日本電気(株)

• 竹内 英代

  Nec

• 辰巳 徹

  Nec シリコンシステム研

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 中村 和之

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 豊島 秀雄

  NEC先端デバイス開発本部

• 豊島 秀雄

  NECシステムデバイス先端デバイス開発本部

• 天沼 一志

  NECシリコンシステム研究所

• 小林 壮太

  NECシリコンシステム研究所

• 辰巳 徹

  NECシリコンシステム研究所

• 森 秀光

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 高橋 誠一

  NECシステムLSI設計技術本部

• 竹内 英代

  NECシステムLSI設計技術本部

• 田辺 伸広

  日本電気(株)

• 清家 綾

  日本電気(株)

• 前島 幸彦

  日本電気(株)

• 小林 壮太

  日本電気(株)

• 奈倉 健

  日本電気(株)

• 杉山 秀樹

  日本電気(株)

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 長谷 卓

  日本電気(株)

• 波田 博光

  日本電気(株)

• 豊島 秀雄

  NEC Corporation

• 長谷 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 中村 和之

  九州工業大学

• 笠井 直記

  Nec 先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  東北大学

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著作論文

• 強誘電体メモリ(FeRAM)の長期データ保持特性テスト法(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
• NV-SRAM:強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
• NV-SRAM : 強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
• C-12-37 スマートカードLSI混載用128KビットFeRAMマクロ
• C-12-36 NV-SRAM:強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
• スマートカードLSI混載用128KビットFeRAMマクロ
• スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
• 自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM
• スマートカードマイクロコントローラ向けFeRAMマクロセル
• FeRAMビット線読み出し電圧の強誘電体ヒステリシス形状依存
• 高疲労耐性を有する96KbitCMVP・FeRAMを搭載したコンタクトレス型スマートカード用LSI
• ビット線-プレート線間の容量結合を考慮した強誘電体メモリのビット線電圧Q-Vプロット
• スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
• スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
• 自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM
• 自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM

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