自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM
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概要
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従来の1T/1C型FeRAMの強誘電体特性劣化による動作不良問題を解決するため, 自己参照型読み出し方式を開発した.1T/1C型FeRAMでは読み出しの際にリファレンス電圧を必要とする.従来の1T/1C型FeRAMでは, リファレンス電圧はリファレンスセルにより生成されていたが, 本方式では同一メモリセルを2回アクセスすることで, メモリセル自身がリファレンス電圧を生成する.このような方式により, 強誘電体特性が劣化してビット線読み出し電圧が変化しても, 自動的に適切なリファレンス電圧を生成することができ, 正しい読み出し動作が実現できる.本方式を用いたFeRAMを試作・評価した結果, 本方式の有効性が実証された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-24
著者
-
山田 淳一
Necエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムlsi事業部
-
小池 洋紀
NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部
-
豊島 秀雄
NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部
-
三輪 達
NECシリコンシステム研究所
-
山田 淳一
日本電気(株)シリコンシステム研究所
-
三輪 達
日本電気(株)シリコンシステム研究所
-
小池 洋紀
日本電気(株)シリコンシステム研究所
-
豊島 秀雄
日本電気(株)シリコンシステム研究所
-
山田 純一
日本電気(株)
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