山田 淳一 | Necエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムlsi事業部

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概要

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関連著者

• 山田 淳一

  Necエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムlsi事業部

• 小池 洋紀

  NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部

• 山田 純一

  日本電気(株)

• 三輪 達

  NECシリコンシステム研究所

• 豊島 秀雄

  NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部

• 小池 洋紀

  NECシリコンシステム研究所

• 山田 淳一

  NECシリコンシステム研究所

• 豊島 秀雄

  NECシリコンシステム研究所

• 波田 博光

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 小林 壮太

  NEC

• 波田 博光

  NECシリコンシステム研究所

• 國尾 武光

  NECシリコンシステム研究所

• 三輪 達

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 小池 洋紀

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 豊島 秀雄

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 國尾 武光

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 田辺 伸広

  NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部

• 奈倉 健

  NEC

• 岡本 祐治

  NECアイシーマイコンシステムマイクロコンピュータ第一開発部

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 沖崎 宏明

  NECマイクロコンピュータ事業部

• 宮坂 洋一

  NEC基礎研究所

• 宮本 秀信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 五味 秀樹

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 北島 洋

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 山田 淳一

  NEC Corporation

• 小池 洋紀

  NEC Corporation

• 山田 淳一

  日本電気(株)シリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 宮本 秀信

  Nec

• 豊島 秀雄

  NEC

• 中村 和之

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 山田 淳一

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 三輪 達

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 小池 洋紀

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 前島 幸彦

  NECシリコンシステム研究所

• 三輪 達

  Nec

• 森 秀光

  日本電気(株)

• 竹内 英代

  日本電気(株)

• 辰巳 徹

  日本電気(株)

• 中村 和之

  九州工業大学

• 竹内 英代

  Nec

• 辰巳 徹

  Nec シリコンシステム研

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 田辺 伸広

  NEC先端デバイス開発本部

• 豊島 秀雄

  NEC先端デバイス開発本部

• 豊島 秀雄

  NECシステムデバイス先端デバイス開発本部

• 天沼 一志

  NECシリコンシステム研究所

• 小林 壮太

  NECシリコンシステム研究所

• 辰巳 徹

  NECシリコンシステム研究所

• 森 秀光

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 高橋 誠一

  NECシステムLSI設計技術本部

• 竹内 英代

  NECシステムLSI設計技術本部

• 三輪 達

  NEC Corporation

• 田辺 伸広

  日本電気(株)

• 清家 綾

  日本電気(株)

• 前島 幸彦

  日本電気(株)

• 小林 壮太

  日本電気(株)

• 奈倉 健

  日本電気(株)

• 杉山 秀樹

  日本電気(株)

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 長谷 卓

  日本電気(株)

• 波田 博光

  日本電気(株)

• 長谷 卓

  NECシステムデバイス研究所

• 笠井 直記

  Nec 先端デバイス開発本部

• 笠井 直記

  東北大学

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著作論文

• 強誘電体メモリ(FeRAM)の長期データ保持特性テスト法(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
• C-12-54 メモリセル読み出し信号電圧に着目したFeRAM評価手法
• プロセス ロジック混載強誘電体メモリ回路技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
• NV-SRAM:強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
• NV-SRAM : 強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
• C-12-37 スマートカードLSI混載用128KビットFeRAMマクロ
• C-12-36 NV-SRAM:強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
• スマートカードLSI混載用128KビットFeRAMマクロ
• スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
• 自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM
• スマートカードマイクロコントローラ向けFeRAMマクロセル
• FeRAMビット線読み出し電圧の強誘電体ヒステリシス形状依存
• 高疲労耐性を有する96KbitCMVP・FeRAMを搭載したコンタクトレス型スマートカード用LSI
• スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
• スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
• 自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM
• 自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM

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