C-12-36 NV-SRAM:強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
山田 淳一
Necエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムlsi事業部
-
小池 洋紀
NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部
-
豊島 秀雄
NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部
-
三輪 達
NECシリコンシステム研究所
-
山田 淳一
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
三輪 達
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
小池 洋紀
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
豊島 秀雄
NECシステムデバイス先端デバイス開発本部
-
山田 純一
日本電気(株)
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