4GビットDRAM用セル技術 (半導体デバイス特集) -- (コンピュ-タ関連デバイス)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 3Gb/s CMOS 8:1マルチプレクサ
- 100MHz, 0.55mm^2, 2mW, 16-bスタック型積和演算器
- 0.25μm CMOS 0.9V 100MHz DSPコア
- DSPの低電力省面積技術
- ループフィルタをディジタル化した省面積PLL回路
- 100MHz, 0.55mm^2, 2mW, 16-bスタック型積和演算器
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- 0.15μm部分一括EB直描技術
- 部分一括EB対応近接効果補正処理
- 斜めビット線配置COBスタックキャパシタ1GDRAMセル
- A 4-level Storage 4Gb DRAM
- 4GビットDRAM用セル技術 (半導体デバイス特集) -- (コンピュ-タ関連デバイス)
- EB直描と光リソグラフィとの高次重ね合わせ補正方法
- 0.15μm部分一括EB直描技術 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)