トンネル酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション

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概要

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フラッシュメモリの繰り返し/保持特性の劣化は、書き込み/消去時のストレスにより生成されたトンネル酸化膜中での電荷トラッブが1つの原因であることが予測されている。本報告では、FNストレス下でのMOSデバイスの電気的測定結果から得られるトラップ生成の経験的モデルにより、フラッシュメモリの書き込み/消去によるトンネル酸化膜中の電荷トラップ生成をシミュレートし、そのトラップがFN書き込み/FN消去フラッシュメモリの繰り返し特性/保持特性の劣化に与える影響について調べた。その結果、繰り返し特性の劣化は電子トラップによるFN電流の減少により引き起こされること、また、保持特性は、電子トラップを介するリークにより劣化するがその劣化の大小には、酸化膜/基板界面近傍に存在するホールトラップが大きく影響することが示唆された。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-05-23

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