横沢 亜由美 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• NEC ULSIデバイス開発研究所の論文著者

関連著者

• 横沢 亜由美

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 北村 卓也

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 河田 将人

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 白井 浩樹

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 白井 浩樹

  Necエレクトロニクス株式会社

• 岡沢 武

  NECメモリ事業部

著作論文

• ホール注入に起因した酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション
• ホール注入に起因した酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション
• ホール注入に起因した酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション
• トンネル酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション

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