河田 将人 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

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関連著者

• 河田 将人

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 北村 卓也

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 横沢 亜由美

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 小山 健一

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 小山 健一

  日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所

• 中川 健一郎

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 小山 健一

  日本電気ulsiデバイス開発研究所メモリ開発部

• 菅原 寛

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 竹島 俊夫

  NEC

• 竹島 俊夫

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• 須藤 直昭

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 大川 真賢

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 築地 優

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 中川 健一郎

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• 小山 健一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 大屋 秀市

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 河田 将人

  日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

• 新森 正洋

  日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部

• 国分 邦夫

  日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部

• 小畑 弘之於

  日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部

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著作論文

• FN-NOR型4値セルを用いた98mm^2、64Mbフラッシュメモリ
• ロジック混載用フラッシュメモリセルの検討
• ホール注入に起因した酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション
• ホール注入に起因した酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション
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