ロジック混載用フラッシュメモリセルの検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年, ロジック混載のフラッシュメモリの開発が盛んに行われている。ロジック混載用のフラッシュメモリには, 汎用のフラッシュメモリに要求されるものとは異なった性能(高速アクセス)が要求される。本報告では, スプリットゲート型と, スタック型フラッシュメモリの, セル面積, オン電流を比較, 検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
小山 健一
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
-
小山 健一
日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所
-
中川 健一郎
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
-
河田 将人
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
河田 将人
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
新森 正洋
日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部
-
国分 邦夫
日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部
-
小畑 弘之於
日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部
-
小山 健一
日本電気ulsiデバイス開発研究所メモリ開発部
関連論文
- FN-NOR型4値セルを用いた98mm^2、64Mbフラッシュメモリ
- ロジック混載用フラッシュメモリセルの検討
- 不揮発性メモリとそのスケーリング
- ホール注入に起因した酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション
- ホール注入に起因した酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション
- ホール注入に起因した酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション
- 2段階消去法によるフラッシュメモリ消去しきい値制御