岡澤 武 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

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関連著者

• 金森 宏治

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 久宗 義明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 岡澤 武

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 小山 健一

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 鈴木 喜之

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 小山 健一

  日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所

• 菅原 寛

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 室谷 樹徳

  Nec

• 竹島 俊夫

  NEC

• 高田 弘

  NEC

• 竹島 俊夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 築地 優

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 久宗 義明

  NEC

• 金森 宏治

  NEC

• 岡澤 武

  NEC

• 佐々木 勇男

  NEC

• 長谷川 英治

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 久保田 太志

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 石谷 明彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 斎藤 賢治

  日本電気ulsiデバイス開発研究所メモリ開発部

• 小山 健一

  日本電気ulsiデバイス開発研究所メモリ開発部

• 白井 浩樹

  Necエレクトロニクス株式会社

• 児玉 典昭

  日本電気(株)ULSIメモリ事業部

• 白井 浩樹

  日本電気ULSIデバイス開発研究所メモリ開発部

• 児玉 典昭

  日本電気ULSIデバイス開発研究所メモリ開発部

• 金森 宏治

  日本電気ULSIデバイス開発研究所メモリ開発部

• 久宗 義明

  日本電気ULSIデバイス開発研究所メモリ開発部

• 岡澤 武

  日本電気ULSIデバイス開発研究所メモリ開発部

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著作論文

• ダイナミックビット線ラッチ(DBL)書込み機能を搭載した3.3V単一電源64Mbフラッシュメモリ
• 3V単一・64Mフラッシュメモリ用高容量比メモリセル
• 2段階消去法によるフラッシュメモリ消去しきい値制御
• 低電圧フラッシュメモリ用高容量比セル

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