低電圧フラッシュメモリ用高容量比セル
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高速アクセス・低電源電圧用途の不揮発性メモリには、NOR型フラッシュメモリが最も適するが、これまでビット当たりの製造コストが高く、市場拡大の大きな障壁となっていた。このようなフラッシュメモリでは、セル動作のための高電圧(>18V)用高耐圧トランジスタが必要であったり、負電圧動作のため複雑なデコーダや三重ウェル構造が要求されるなど、これまではプロセス、デバイス技術上ビットコストの低減化は必ずしも配慮されていなかった。本報告では、高速アクセスが可能な3V単一電源・64Mビットフラッシュメモリでかつ低コストの新メモリセル(高容量比セル:Hi-Capacitive coupling Ratio Cell)とその製造技術を述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
関連論文
- ダイナミックビット線ラッチ(DBL)書込み機能を搭載した3.3V単一電源64Mbフラッシュメモリ
- 3V単一・64Mフラッシュメモリ用高容量比メモリセル
- 2段階消去法によるフラッシュメモリ消去しきい値制御
- 低電圧フラッシュメモリ用高容量比セル