3V単一・64Mフラッシュメモリ用高容量比メモリセル

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概要

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3V単一電源・64Mビットフラッシュメモリとして、コンタクトレスで高容量結合比構造のメモリセルを開発した。本セルは、Fowler-Nordheim(F-N)トネリングにより、書き込み・消去を行う。0.4μmの製造技術により、セル面積1.5μm^2が得られた。高容量結合比構造を実現させるための主要技術は、1)トネリング微小領域(フローティング側壁下)の自己整合形成プロセスと、2)7.5nmのトンネル酸化窒化膜を形成する急速加熱プロセス(RTP)である。書き込み・消去に使用される内部発生電圧はそれぞれ+8,+12Vである。低い正電圧のみを内部発生電圧として使うことによって、従来のメモリセルに比べ製造工程の大幅な削減が実現される。高容量比セルにより、低電力・高速ランダムアクセスを3V単一電源にて実現できる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-05-26

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