(Ba,Sr)TiO_3膜物性の下地Si基板方位依存性
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概要
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本報告ではDRAMキャパシタやロジックLSIのデカップリングキャパシタの高誘電率膜材料として期待される(Ba,Sr)TiO_3(BST)について、その薄膜結晶性の基板Siの面方位依存性を評価した。Si基板面方位(100)、(110)、(111)について、BST比誘電率は80を得、面方位の違いによる誘電率の差は見られなかった。リーク電流はSi(110)上に堆積したBST薄膜が最も大きく、Si(111)、Si(100)上に堆積したBST薄膜はほぼ同じであった。BST薄膜の配向性にSi基板依存性が現れた。また、C-V特性からBST/Siの界面準位に基板依存性があり、BST/Si(111)界面が最も大きい事が分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-14
著者
-
吉川 公麿
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
-
大和 昌樹
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
山田 紘士
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
加地 功駿
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
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