Low-k/Cu技術の現状と将来動向(High Speed and Optoelectronic Technology II, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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概要
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ULSIにおける多層配線技術、特にLow-k/Cu技術の現状と将来動向について述べる。Low-k技術はULSIの配線寄生容量を低減するので信号伝搬速度を改善するとともに、配線ピッチを小さくできるので多層配線層数の低減が可能になる。Low-k膜の目標はk<2.0であり、本報告ではスケーラブルlow-kとしての自己組織化ポーラスシリカ膜の形成技術とその電気特性について述べる。周期構造あるいは非周期構造を持つポーラスシリカは界面活性剤としてそれぞれアルキルトリメチルアンモニウムとポリオキシエチレンーポリオキシプロピレンーポリオキシエチレンのブロックコポリマーを用い、オリゴマーとしてテトレエトキシシランを用いて合成し、塗布法により薄膜をSi基板上に形成する。膜弾性率を向上するプロセスとしてテトラシクロテトラシロキサン気相処理を新たに開発し、E=8GPa、k=2.07の膜が得られている。この技術は45nm技術のlow-k/Cu配線技術の有力な候補として期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-22
著者
-
吉川 公麿
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
-
Kikkawa Takamaro
Advanced Semiconductor Research Center (asrc) National Institute Of Advanced Industrial Science And
-
Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
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