Effect of High-Resistivity Si Substrate on Antenna Transmission Gain for On-Chip Wireless Interconnects
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2004-04-30
著者
-
RASHID A.
Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University
-
KIKKAWA Takamaro
Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University
-
吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
-
Kikkawa Takamaro
Research Center For Nanodevices And Systems Hiroshima University
-
Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
-
Rashid A.
Research Center For Nanodevices And Systems Hiroshima University
-
Kikkawa Takamaro
Research Center for Nanodevice and Systems (RCNS), Hiroshima University, Higashihiroshima, Hiroshima 739-8527, Japan
関連論文
- 高空孔率(50%)高強度(9GPa)自己組織化ポーラスシリカ膜を用いた32nmノードLSI向け超低誘電率膜(k=2.1)Cuダマシン多層配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- Effect of High-Resistivity Si Substrate on Antenna Transmission Gain for On-Chip Wireless Interconnects
- Characteristics of Si Integrated Antenna for Inter-Chip Wireless Interconnection
- A New Plasma-Enhanced Co-Polymerization (PCP) Technology for Reinforcing Mechanical Properties of Organic Silica Low-k/Cu Interconnects on 300 mm Wafers(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 自己集合体化技術を用いた超低誘電率多孔質シリカ膜(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 低誘電率層間絶縁膜中のリン添加効果によるCuイオンドリフト抑制効果
- Ultra low-k 膜対応のCMP技術
- A 2.4GHz Differential Wavelet Generator in 0.18μm CMOS for 1.4Gbps UWB Impulse Radio in Wireless Inter/Intra-Chip Data Communication
- CT-1-7 無線インタコネクトと3次元集積(CT-1.Si集積回路配線の解析と設計,エレクトロニクス2)
- Low-k/Cu技術の現状と将来動向(High Speed and Optoelectronic Technology II, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))