高空孔率(50%)高強度(9GPa)自己組織化ポーラスシリカ膜を用いた32nmノードLSI向け超低誘電率膜(k=2.1)Cuダマシン多層配線(配線・実装技術と関連材料技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
32nmノードLSI多層配線の実用化は多孔性低誘電率膜の実用化性能向上に依存している。今回高い空孔率(50%)が特徴の自己組織化ポーラスシリカ低誘電率膜を用い200nmピッチの配線形成に成功したので報告する。重要技術は低圧急加熱シリル化処理技術と加工側壁の処理技術である。これらの技術を用いることで32nmノード100nmピッチ配線の性能の達成が可能となった。
- 2008-02-01
著者
-
隣 真一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
曽田 栄一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
斎藤 修一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
-
田中 博文
三井化学
-
隣 真一
半導体先端テクノロジーズ
-
木下 啓藏
半導体先端テクノロジーズ
-
中山 高博
アルバック
-
高村 一夫
三井化学
-
平川 正明
アルバック
-
曽田 栄一
半導体先端テクノロジーズ
-
清野 豊
産業総合研究所
-
秦 信宏
産業総合研究所
-
吉川 公麿
広島大学
-
斎藤 修一
半導体先端テクノロジーズ
-
木下 啓蔵
NEC
-
吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
-
Kikkawa Takamaro
Advanced Semiconductor Research Center (asrc) National Institute Of Advanced Industrial Science And
-
木下 啓蔵
半導体先端テクノロジーズ
-
Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
関連論文
- 短TATシリル化ポーラス・シリカ(k=2.1)を用いた32nmノード対応Ultralow-k/Cuデュアルダマシン配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- ポーラスSiOCダイレクトCMP後洗浄における界面活性剤のHLB効果
- 高空孔率(50%)高強度(9GPa)自己組織化ポーラスシリカ膜を用いた32nmノードLSI向け超低誘電率膜(k=2.1)Cuダマシン多層配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- Effect of High-Resistivity Si Substrate on Antenna Transmission Gain for On-Chip Wireless Interconnects
- Ruバリアメタル構造のCu配線におけるCu研磨時のガルバニック腐食制御(配線・実装技術と関連材料技術)
- 代替フロン(CF3I)を用いたLow-k膜エッチング技術 (全冊特集 新材料の導入と半導体製造装置)
- A New Plasma-Enhanced Co-Polymerization (PCP) Technology for Reinforcing Mechanical Properties of Organic Silica Low-k/Cu Interconnects on 300 mm Wafers(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 自己集合体化技術を用いた超低誘電率多孔質シリカ膜(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 低誘電率層間絶縁膜中のリン添加効果によるCuイオンドリフト抑制効果
- プラズマ・プロセス技術
- 集積技術の将来を握るチップ間/チップ内通信技術(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
- 集積技術の将来を握るチップ間/チップ内通信技術(コデザイン)(VLSIの設計/検証/テスト及び一般)(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会)
- 集積技術の将来を握るチップ間/チップ内通信技術
- Ultra low-k 膜対応のCMP技術
- A 2.4GHz Differential Wavelet Generator in 0.18μm CMOS for 1.4Gbps UWB Impulse Radio in Wireless Inter/Intra-Chip Data Communication
- CT-1-7 無線インタコネクトと3次元集積(CT-1.Si集積回路配線の解析と設計,エレクトロニクス2)
- Low-k/Cu技術の現状と将来動向(High Speed and Optoelectronic Technology II, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ポーラスシリカの低誘電率絶縁膜への応用
- ハイパーブレイン実現を目指した無線インタコネクションを用いた三次元集積技術(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- Transmission Characteristics of Gaussian Monocycle Pulses for Inter-Chip Wireless Interconnections Using Integrated Antennas
- A CMOS Monocycle Pulse Generation Circuit in a Ultra-Wideband Transmitter for Intra/Inter Chip Wireless Interconnection
- VLSIチップ内・チップ間無線インタコネクト(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- A CMOS Monocycle Pulse Generation Circuit of UWB Transmitter for Intra/Inter Chip Wireless Interconnection
- 配線技術
- BST電気特性の下部電極依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ワイヤレス配線におけるSiおよび低誘電率基板の影響
- ウェハ保管環境の MOS デバイス特性への影響
- (Ba,Sr)TiO_3膜物性の下地Si基板方位依存性
- (Ba,Sr)TiO_3膜キャパシタ特性の電極金属依存性
- Alダマシンプロセスによる多層配線形成
- EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討(配線・実装技術と関連材料技術)
- ギガビットスケールDRAM用TiN/Ti-CVDコンタクト技術
- 高温スパッタを用いたサブクォーターマイクロンのチタンサリサイド形成技術
- 207 カーボンナノチューブ膜をエミッタとしたマイクロ熱加工法の研究(1)
- シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響
- Plasma-enhanced polymerization thin films as a drift barrier for Cu interconnects
- Mechanical Strength of Multilayered Dielectric Structures Measured by Laser-Pulse Generated Surface-Acoustic-Wave Technique
- 新型Low-kシリカ膜 : 高規則性を有した空孔構造
- RFバイアス光プローブ法を用いた電子エネルギー分布関数の測定
- Low-k材料とエッチング技術 (特集 半導体製造工程を変革する新プロセス技術) -- (最新トピックス1 新プロセス/新材料の導入)
- プラズマ重合法によるLow-k有機高分子膜成長技術とその応用( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- 低誘電率有機膜を用いたCuダマシン多層配線プロセス設計とその実証
- プラズマ重合BCB膜成長技術と銅ダマシン配線への適用
- 集積技術の将来を握るチップ間/チップ内通信技術
- Mechanical Property Determination of Thin Porous Low-k Films by Twin-Transducer Laser Generated Surface Acoustic Waves
- Theoretical Analysis of Elastic Modulus and Dielectric Constant for Low-k Two-Dimensional Periodic Porous Silica Films
- 0.15μm CMOS用CoSi_2サリサイド技術
- Effect of Phosphorus Atom in Self-Assembled Monolayer as a Drift Barrier for Advanced Copper Interconnects
- XPSによるサブミクロンCuビアホールのクリーニング方法の解析
- Measurement of Copper Drift in Methylsilsesquiazane-Methylsilsesquioxane Dielectric Films
- Measurement of Copper Drift in Methylsilsesquioxane Dielectric Films
- (Ba,Sr)TiO_3高誘電率膜特性の電極金属依存症
- Theoretical Investigation into Effects of Pore Size and Pore Position Distributions on Dielectric Constant and Elastic Modulus of Two-Dimensional Periodic Porous Silica Films
- Nondestructive characterization of dielectric stack structures by laser-pulse-generated surface acoustic wave analysis
- The structural origin of determining the coefficient of thermal expansion for porous silica low-k films
- Nondestructive characterization of temperature-dependent backbone Si-O-Si structure in porous silica films by in-situ Fourier-transform infrared spectroscopy
- Infrared Complex Dielectric Function Analysis for Chemical Bonding Structure of Porous Silica Low Dielectric Constant Films
- Adsorption in-situ Spectroscopic Ellipsometry Analysis of Disordered Porous Silica Low-k Films
- Comparison of Pore Shape Models for Small Angle X-ray Scattering of a Disordered Porous Silica Low-k Film
- Electrical Characteristics of Porous Zeolite Interlayer Dielectrics
- Microstructure Characterization of Skeletal Silica in Porous Low-k Films by Infrared Spectroscopic Ellipsometry
- Low-k/Cu技術の現状と将来動向(High Speed and Optoelectronic Technology II, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 低誘電率層間絶縁膜中へのCuイオンドリフトによる絶縁破壊
- EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討
- A Novel Photosensitive Porous Low-$k$ Interlayer Dielectric Film
- ULSI多層配線技術の課題
- 多層配線技術とスケーリング
- ULSIの微細化と多層配線技術への課題