新型Low-kシリカ膜 : 高規則性を有した空孔構造
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概要
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我々はスピン塗布法を用いた新型Low-k多孔質膜(ISM-1.5)を提案している。このISM-1.5膜は、空孔の導入とその形状制御により低誘電率化(ε=1.5〜1.8)と高強度を同時に満足するものである。今回、このISM-1.5膜の機械的特性、電気的特性、および、CMP耐性について紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-23
著者
-
中山 高博
アルバック
-
山川 洋幸
日本真空技術株式会社
-
山田 和弘
半導体MIRAI-ASET
-
山川 洋幸
日本真空技術・筑波超材研
-
玉川 孝一
日本真空技術・筑波半技研
-
村上 裕彦
日本真空技術・筑波超材研
-
中山 高博
日本真空技術・筑波超材研
-
山田 和弘
日本真空技術・筑波半技研
-
関 伸彰
日本真空技術・筑波半技研
-
村上 裕彦
日本真空技術 (株) 筑波超材料研究所
-
山川 洋幸
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
-
関 伸彰
日本真空技術(株)
-
山川 洋幸
日本真空技術
-
玉川 孝一
日本真空技術(株)
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