Ruバリアメタル構造のCu配線におけるCu研磨時のガルバニック腐食制御(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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Ruバリア構造のCu配線をCu研磨した時の研磨後形状について調査した。Ruバリア構造では、CuとRuの腐食電位差の大きいCuスラリーで研磨するとディッシングが25nm以上だったが、腐食電位差を2mVまで抑制したCuスラリーでは10nm以下に低減できた。Ruバリア構造のCu研磨後のディッシングは、単純な化学的なエッチングだけでなく、CuとRuの腐食電位差によるガルバニックエッチングでも増加する。そのため、Ruバリア構造のCu配線を研磨するには、この腐食電位差を低減したCuスラリーやRuスラリーを用いることが重要であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-02-02
著者
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斎藤 修一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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近藤 誠一
半導体先端テクノロジーズ
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丸山 浩二
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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塩原 守雄
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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山田 浩司
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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近藤 誠一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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