7.シリコンチップ間無線インタコネクション技術(<小特集>インタコネクション技術)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-12-01

著者

• 吉川 公麿

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 吉川 公麿

  広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所

関連論文

• 低誘電率層間絶縁膜中のリン添加効果によるCuイオンドリフト抑制効果
• 集積技術の将来を握るチップ間/チップ内通信技術(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
• 集積技術の将来を握るチップ間/チップ内通信技術(コデザイン)(VLSIの設計/検証/テスト及び一般)(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会)
• 集積技術の将来を握るチップ間/チップ内通信技術
• CT-1-7 無線インタコネクトと3次元集積(CT-1.Si集積回路配線の解析と設計,エレクトロニクス2)
• Low-k/Cu技術の現状と将来動向(High Speed and Optoelectronic Technology II, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• ハイパーブレイン実現を目指した無線インタコネクションを用いた三次元集積技術(VLSI一般(ISSCC2005特集))
• VLSIチップ内・チップ間無線インタコネクト(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• 配線技術
• BST電気特性の下部電極依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ワイヤレス配線におけるSiおよび低誘電率基板の影響
• ウェハ保管環境の MOS デバイス特性への影響
• (Ba,Sr)TiO_3膜物性の下地Si基板方位依存性
• (Ba,Sr)TiO_3膜キャパシタ特性の電極金属依存性
• シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響
• 集積技術の将来を握るチップ間/チップ内通信技術
• (Ba,Sr)TiO_3高誘電率膜特性の電極金属依存症
• Low-k/Cu技術の現状と将来動向(High Speed and Optoelectronic Technology II, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• ULSI多層配線技術の課題
• 多層配線技術とスケーリング
• ULSIの微細化と多層配線技術への課題
• 7.シリコンチップ間無線インタコネクション技術(インタコネクション技術)
• C-2-99 共焦点画像処理用100GS/sサンプリングシステムの開発(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク