接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現(シリコン関連材料の作製と評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
様々な接合終端構造を有する4H-SiC PiNダイオードを作製し、その耐圧特性を評価した。その結果two-zone JTEと独自の空間変調JTEを組み合わせることで耐圧15kVを達成した。さらにこのような超高耐圧が得られるJTEドーズ量の幅が拡大し、JTEドーズ量の変化に対するロバスト性が向上した。また測定された耐圧のJTEドーズ量依存性はデバイスシミュレーションと比較して高ドーズ側ヘシフトすることがわかった。これは、酸化膜と半導体界面の電荷による実効的なJTEドーズ量の減少がにより説明できる。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-12-09
著者
-
須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
-
丹羽 弘樹
京都大学大学院工学研究科
-
馮 淦
京都大学大学院工学研究科
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科
関連論文
- 多重RESURF構造を用いた横型SiC MOSFETのドーズ最適化(半導体Si及び関連材料・評価)
- 多形を有する半導体SiC単結晶のステップ制御エピタキシ-
- 光電気化学エッチングにより作製した静電駆動単結晶SiCブリッジ構造
- 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
- 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- SiCを用いた高耐圧RESURF MOSFETの設計と作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- 界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- p型不純物イオン注入による4H-SiC高耐圧pn接合ダイオード(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- パワーデバイス用SiCのエピタキシャル成長技術の進展(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- SiC半導体の結晶成長と素子技術の現状と展望
- Sic エピタキシャル結晶の表面ステップ構造
- パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- 多数キャリア密度の温度依存性を用いた新しい評価方法によるSiC中のドナー評価
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10kV SiC PiNダイオード(シリコン関連材料の作製と評価)
- シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半球形阻止電界型エネルギー分析器を用いたシリコン電界放出電子源のエネルギー分析
- ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール効果測定による極薄SOIにおけるキャリア散乱要因の検討(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 水素ガス導入下におけるSi:C電界放出電子源の経時変化の測定
- シリコンを超える省エネルギー・パワーデバイス用半導体材料(創立110周年記念 活躍する材料-未来を拓く材料技術の最前線-)
- SiCプロセス技術
- SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- SiCパワーデバイス研究開発の現状と将来展望(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気伝導特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用
- 01aB09 4H-SiC(112^^-0)基板に成長した低転位密度無極性面4H-AlN(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 有機金属分子線エピタキシー法による立方晶窒化ガリウムの結晶成長
- MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
- MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
- SiC単結晶成長の最近の進展 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上(シリコン関連材料の作製と評価)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- ダブルRESURF構造を用いた横型高耐圧SiC MOSFETの低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 3族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス (特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展)
- n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合 電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響
- 18aA06 MOMBEによるサファイア(0001)上への立方晶・六方晶GaNのエピタキシャル成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 分子線エピタキシーによるZrB_2基板上GaNのヘテロエピタキシャル成長
- ZnMgSSeのMOMBE成長と評価
- 高耐圧パワーデバイス応用を目指したSiCのエピタキシャル成長と欠陥制御 (小特集 パワー半導体結晶成長)
- III族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス
- MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めたSiナノワイヤのバンドギャップ(シリコン関連材料の作製と評価)
- 高耐圧パワーデバイス応用を目指したSiCのエピタキシャル成長と欠陥制御
- 高効率電力変換用SiCパワーデバイス
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- CT-2-3 SiCパワーデバイス技術(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現(シリコン関連材料の作製と評価)
- 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化 (シリコン材料・デバイス)
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長
- 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性
- 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現
- 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
- 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
- AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 炭化ケイ素を用いた超高耐圧バイポーラトランジスタの開発