18aA06 MOMBEによるサファイア(0001)上への立方晶・六方晶GaNのエピタキシャル成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Growth of cubic- and hexagonal-GaN on sapphire (0001) substrates is presented. GaN was grown by metal-organic molecular-beam epitaxy (MOMBE) using triethyl gallium (TEGa) and rf-plasma excited active nitrogen. Under a N-rich condition, thermodynamically-stable hexagonal-GaN (0001) was grown. On the other hand, under a Ga-rich condition, meta-stable cubic-GaN (111) was grown. The cubic-GaN layer exhibited intense excitonic emission.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
関連論文
- 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- 01aB09 4H-SiC(112^^-0)基板に成長した低転位密度無極性面4H-AlN(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 有機金属分子線エピタキシー法による立方晶窒化ガリウムの結晶成長
- MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
- MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
- 18aA06 MOMBEによるサファイア(0001)上への立方晶・六方晶GaNのエピタキシャル成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 分子線エピタキシーによるZrB_2基板上GaNのヘテロエピタキシャル成長
- ZnMgSSeのMOMBE成長と評価
- III族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- CT-2-3 SiCパワーデバイス技術(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現(シリコン関連材料の作製と評価)
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
- 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
- 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
- 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 炭化ケイ素を用いた超高耐圧バイポーラトランジスタの開発