炭化ケイ素を用いた超高耐圧バイポーラトランジスタの開発

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2013-03-01

著者

• 須田 淳

  京都大学大学院工学研究科

関連論文

• 4H-SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計(シリコン関連材料の作製と評価)
• III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
• 01aB09 4H-SiC(112^^-0)基板に成長した低転位密度無極性面4H-AlN(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
• 有機金属分子線エピタキシー法による立方晶窒化ガリウムの結晶成長
• MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
• MOMBE法による立方晶GaNの結晶成長
• 18aA06 MOMBEによるサファイア(0001)上への立方晶・六方晶GaNのエピタキシャル成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
• 分子線エピタキシーによるZrB_2基板上GaNのヘテロエピタキシャル成長
• III族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• CT-2-3 SiCパワーデバイス技術(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現(シリコン関連材料の作製と評価)
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
• 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
• 様々なバンド不連続を有するAl_xGa_N/SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構
• 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 炭化ケイ素を用いた超高耐圧バイポーラトランジスタの開発

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク