4H-SiC(11-20)面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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これまで、POCI_3アニールによりPをSiO2/4H-SiC界面に導入することで、Si面・C面ともに優れた界面準位密度の低減効果を報告してきた。そこで、高いチャネル移動度が報告されている(11-20)面(a面)に対してPOCl3アニールを行ったMOSキャパシタを作製し、界面特性の評価を行った。本研究では熱酸化膜と堆積酸化膜の2種類のゲート酸化膜に対してP導入による界面準位の低減効果を調べた。その結果、堆積酸化膜の試料にのみ界面準位密度の低減が見られたが、Si面のような大幅な界面特性の改善効果は見られなかった。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-11-30
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
梅澤 奈央
奈良先端科学技術大学院大学
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