NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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SiCはSiに代わる次世代パワーデバイス材料として期待されているが,SiC MOSFETのチャネル移動度やゲート酸化膜信頼性は未だ不十分であり,実用化への課題となっている.(0001)Si面と同様に(0001^^-)C面MOS構造に対しても,NOやN_2Oアニールを行うことで伝導帯近傍の界面準位密度が大幅に減少することが報告されている.しかし,C面MOSFETの移動度はMOSキャパシタの特性から期待される程良くない.今回,NO直接酸化法にて4H-SiC C面MOSキャパシタおよびMOSFETを作製し,電気特性を調べた.その結果,C面SiCに対してNO直接酸化を行うことで界面準位密度は減少するが,新たにSiO_2/SiC界面近傍に酸化膜トラップ(Near-Interface Trap; NIT)が発生することが示唆された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-28
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
畑山 智亮
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
大城 ゆき
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
岡本 大
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
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