4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 (シリコン材料・デバイス)
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概要
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- 電子情報通信学会の論文
- 2009-12-04
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
畑山 智亮
奈良先端科学技術大学院大学
-
平田 憲司
奈良先端科学技術大学院大学物質創生科学研究科
-
矢野 裕司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
岡本 大
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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