テクスチャシリコンへのレーザードーピングにおける基板-ドーパント間の界面制御による電子状態の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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レーザードーピング(LD)は高効率結晶Si太陽電池の簡便な作製プロセスとして注目される。しかし隆起形状を持つ基板にLDを適用すると、表面が粗く変形し、再結合中心が発生した。そこで本研究ではテクスチャ構造を持つ基板にLDを適用し、基板表面の化学的結合状態を疎水性から親水性に変化させた。その結果基板-ドーパント界面の密着性が強化され、ドーピング後の表面の粗さが軽減されるとともに太陽電池特性を改善させることを確認した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-11-30
著者
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻:(現)高知工科大学総合研究所
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大
-
湯本 伸伍
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)
-
西村 英紀
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)
-
田中 成明
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)
-
森崎 翔太
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)
-
冬木 隆
奈良先端科学技術大学院大学(NAIST)
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