裏面からのレーザー照射による2層同時結晶化LTPS-TFTメモリの特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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これまで、a-Si/SiO_2/a-Siを積層した基板にグリーンレーザーを照射した場合、2層同時結晶化することを報告し、さらに上層をフローティングゲート、下層をチャネル層としたLTPS-TFT (Low Temperature Poly-Si TFT)メモリの作製を行った。今回は更なる特性向上を目指し、グリーンレーザーを基板裏面から照射したLTPS-TFTメモリの作製を行った。その結果、これまでよりチャネル層の結晶性が向上し、ON電流が増加した。さらに結晶時の融解熱によりSiO_2がアニールされることで界面状態が向上し、S値及びメモリ特性についても向上が見られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
堀田 昌宏
奈良先端大
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端大:crest
-
市川 和典
神戸市立工業高等専門学校
-
松江 将博
神戸市立工業高等専門学校
-
赤松 浩
神戸市立工業高等専門学校
-
山崎 浩司
奈良先端科学技術大学院 大学情報科学研究科
-
赤松 浩
神戸市工高専
-
堀田 昌宏
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
堀田 昌宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
浦岡 行治
奈良先端大物質創成科学研究科
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