NH_3 Plasma Pretreatment of 4H-SiC(0001) Surface for Reduction of Interface States in Metal-Oxide-Semiconductor Devices
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概要
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- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2010-02-25
著者
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
YANO Hiroshi
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
-
HATAYAMA Tomoaki
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
-
URAOKA Yukiharu
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
-
FUYUKI Takashi
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
-
Yano Hiroshi
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
Hatayama Tomoaki
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
Fuyuki Takashi
Graduate School Of Material Science Nara Institute Of Science And Technology
-
IWASAKI Yoshinori
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology
-
Uraoka Yukiharu
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
Iwasaki Yoshinori
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
Fuyuki Takashi
Nara Inst. Sci. And Technol. Nara Jpn
-
Uraoka Yukiharu
Graduate School of Material Science, Nara Institute of Science and Technology, Takayama 8916-5, Ikoma, Nara 630-0192, Japan
-
Hatayama Tomoaki
Graduate School of Engineering, Kyoto Univercity
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