Floating Gate Memory with Biomineralized Nanodots Embedded in High-$k$ Gate Dielectric
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概要
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The memory properties of a nanodot-type floating gate memory with Co bio-nanodots (Co-BNDs) embedded in HfO2 were investigated. High-density and uniform Co-BNDs were adsorbed on the HfO2 tunnel oxide using ferritin. The fabricated metal oxide semiconductor (MOS) capacitor exhibited a capacitance--voltage ($C$--$V$) curve with large hysteresis. The memory window size was 30 times higher than that of the MOS capacitor with a SiO2 gate oxide. Not only a large memory window but also excellent charge retention and reliability characteristics were obtained for a MOS field-effect transistor (MOSFET). This research confirmed that the proposed memory is promising for use in next-generation memory devices.
- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2009-09-25
著者
-
Yamashita Ichiro
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
Moniwa Masahiro
Graduate School Of Information Sci. And Technol. Hokkaido Univ. Sapporo 060-0814 Japansemiconductor
-
Yoshimaru Masaki
Graduate School Of Information Sci. And Technol. Hokkaido Univ. Sapporo 060-0814 Japansemiconductor
-
Yoshimaru Masaki
Semiconductor R&d Division Semiconductor Business Group Oki Electric Industry Co. Ltd.
-
Uraoka Yukiharu
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
Ohara Kosuke
Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Iko
-
Yaegashi Toshitake
Semiconductor Technology Academic Research Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033
-
Moniwa Masahiro
Semiconductor Technology Academic Research Center, 3-17-2 Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033
-
Ohara Kosuke
Graduate School Of Materials Science Nara Institute Of Science And Technology
-
Yaegashi Toshitake
Semiconductor Technology Academic Research Center
-
Yamashita Ichiro
Panasonic Corp. Kyoto Jpn
-
MONIWA Masahiro
Semiconductor Technology Academic Research Center
-
Uraoka Yukiharu
Graduate School of Material Science, Nara Institute of Science and Technology, Takayama 8916-5, Ikoma, Nara 630-0192, Japan
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