低温成膜nc-Si膜を用いたbottom gate TFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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ICP(Inductively Coupled Plasma)CVD法により、150℃で直接成膜した微結晶Si(nc-Si)膜を用いて、bottom gate TFTを作製した。SiH_4ガスを用いてnc-Si成膜後、NH_3プラズマ処理を施すことで、0.48cm^2/Vsの移動度が得られた。印加電圧20V、印加時間10000secのゲートストレスに対する信頼性評価を実施したところ、シフト量ΔVth:1.94Vを実現した。またFによる欠陥終端を狙い、SiF_4ガスを用いて180℃で成膜したnc-Si膜TFTを作製し、TFT動作することが確認された。
- 2012-04-20
著者
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