高品質6H-、4H-SiCの結晶成長とパワーショットキーダイオードへの応用
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概要
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ステップ制御エピタキシーによって6H-、4H-SiCのホモエピタキシャル成長を行った.成長層のフォトルミネセンス(PL)測定において、バンド端付近に自由励起子発光を観測した.これは成長層が高品質であることを反映している.ホール効果測定から、キャリヤ密度2.5X10^16>cm^-3>の4H-SiC成長層の移動度は室温で720cm^2, Vsであった.これは6H-SiCのおよそ2倍程度大きい.パワーショットキーダイオードを作製した結果、高耐圧(〜1kV)で低いオン抵抗のデバイスを実現した.特に4H-SiCを用いた場合のデバイスのオン抵抗は1.0〜2.0X10^-3>Ωcm^2であり、6H-SiCを用いた場合のおよそ5分の1以下に抑えることができた.これは4H-SiCの高い移動度を反映した結果であり、4H-SiCは高性能な低損失パワーデバイスに有望な材料であるといえる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-24
著者
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
伊藤 明
京都大学工学部
-
伊藤 明
京都大学電子物性工学教室
-
秋田 浩伸
京都大学工学部
-
武本 大作
京都大学工学部
-
漆谷 多二男
富士電機総合研究所
-
木本 恒暢
富士電機総合研究所
-
松波 弘之
富士電機総合研究所
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