田中 正一 | 名古屋工業大学

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概要

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• 同名の論文著者
• 名古屋工業大学の論文著者

関連著者

• 加藤 正史

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学工学部電気電子工学科

• 中村 俊一

  京都大学工学研究科電子工学

• 木本 恒暢

  京都大学工学研究科

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 田中 正一

  名古屋工業大学

• 中村 俊一

  京都大学工学研究科

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学

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著作論文

• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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