29p-X-7 2次元電子系の非局所性SdH振動 (III)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-03-12
著者
-
深津 晋
東大先端研
-
白木 靖寛
東大先端研
-
新居 英明
東大教養
-
小宮山 進
東大教養
-
大沢 基
東大教養
-
深津 晋
東大・教養
-
豊島 秀雄
日電マイクロエレ研
-
伊藤 良一
東大先端研
-
豊島 秀雄
日電 マイクロエレ研
関連論文
- 29a-YM-7 Si/Ge/Si界面からのX線散漫散乱
- 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
- 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
- 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
- 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
- エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探求
- 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
- 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
- 30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
- 強磁場下2次元電子系のエッジ状態間の散乱(I)
- 19pTH-7 ^Ge/^Ge同位体ヘテロ構造中のフォノン・ラマン散乱
- 20pWF-3 非コヒーレントな層間結合をもつ層状物質における角度依存磁気抵抗振動の検証
- 20aYH-7 強磁場下半導体超格子における磁気抵抗効果
- 27pTC-14 半導体超格子における磁場方位に依存する磁気抵抗効果
- 25pSB-6 非コヒーレントな層間結合をもつ半導体超格子における角度依存磁気抵抗振動
- 24pD-11 多層量子ホール系におけるカイラル表面状態の電気伝導特性III
- エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
- 28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
- 29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
- 29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
- 29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
- 13a-K-1 二次元電子系への歪による周期ポテンシャルの導入とワイス振動の観測
- 14p-DH-8 STM study of the Pb/Ge(001)system
- 14p-DH-7 A common complex defect on the Ge(001)2x1 surface
- 13a-K-1 二次元電子系への歪による周期ポテンシャルの導入とワイス振動の観測
- 29p-T-11 量子ホール効果デバイスでの雑音測定
- 30p-N-9 量子ホール効果の試料長さ依存性
- 27p-P-3 強磁場下2次元電子系のSdH振動に現れる非線形性
- 19aYJ-10 GaP/AlPヘテロ構造からの励起子発光と磁場誘起キャリア局在
- 23aYH-5 蛍光X線ホログラフィによるGe/Si(001)量子ドット構造の研究
- 23pL-3 アンチドット系の磁気抵抗の配列及び形状依存性II
- 25pYK-12 ^Ge_n/^Ge_n同位体超格子中のフォノン
- 27pD-6 アンチドット系の磁気抵抗の配列及び形状依存性
- 26aC-4 強磁場下におけるSi/SiGe単一量子井戸中高易動度2次元電子ガスのサイクロトロン共鳴
- 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
- 31p-ZB-5 高移動度シリコン2次元金属相における磁気抵抗効果
- 27a-YN-7 強磁場下及び超強磁場下におけるSi/SiGe単一量子井戸中高易動度2次元電子ガスのサイクロトロン共鳴
- 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
- 29p-ZP-3 3C-SiC基板上に成長した立方晶GaNの顕微フォトルミネッセンス
- 28a-ZM-10 光反射法によるZnCdSe/ZnSe単一量子井戸の光学評価
- 2p-YH-1 超強磁場下におけるSiGe/Si単一量子井戸中高易動度2次元電子ガスのサイクロトロン共鳴
- 強磁場下における非対称三重障壁共鳴トンネルダイオードの磁気量子振動
- 28pーR-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
- 28p-R-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
- QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
- QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
- QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
- QHB Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
- 3a-E-9 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性II
- 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
- 31a-R-9 MBE成長Si_xGe_/Ge(100)における光励起キャリアーの電子ラマン散乱
- 2a-YH-9 GaP/AlP超格子構造における励起子発光の磁場と圧力の効果
- 30p-R-5 GaP/AlP短周期超格子および量子井戸の磁気発光スペクトル
- 3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II
- 26p-YG-8 Si/SiGeヘテロ接合2次元電子系における金属相の異常な電気伝導
- 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
- 30p-Q-5 高移動度シリコン2次元電子系での金属・絶縁体転移と磁気抵抗
- 28p-W-6 InGaAs/GaAs量子井戸の二次元励起子蛍光寿命
- 4a-J-10 量子ホール効果デバイスでの雑音測定II
- 4p-J-10 量子ホール効果デバイスでの雑音測定II
- 13a-DE-7 InGaAs/GaAs量子井戸における励起子の振動子強度
- 12a-DE-5 量子井戸における励起子-フォノン相互作用の井戸幅依存性
- 29p-X-7 2次元電子系の非局所性SdH振動 (III)
- 28a-C-9 2次元電子系の非局所性Sdh振動(II)
- 27a-C-5 トンネル障壁を有する量子井戸におけるキャリアの捕獲
- 26a-ZB-13 2次元電子系の非局所性SdH振動
- 8a-N-3 非弾性散乱長の奇妙なソース・ドレイン電圧依存性
- 8a-N-2 量子ホール状態間遷移の試料形状依存性
- 8a-N-1 量子ホール状態における二次元電子系の位相干渉性
- 28p-R-9 強磁場二次元電子系の位相干渉性
- 30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
- 8a-N-11 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光 : 空間分解測定
- 8a-N-11 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光:空間分解測定
- 28p-R-8 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導信号の時間分解測定
- 28p-R-8 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導信号の時間分解測定
- 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
- 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光II
- エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探究
- 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
- 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
- 29a-R-5 半導体トンネル構造を用いた超格子ポテンシャル下の電子波干渉効果の研究
- 29a-R-5 半導体トンネル構造を用いた超格子ポテンシャル下の電子波干渉効果の研究
- wide-well二重障壁共鳴トンネルダイオードにおけるvirtual state resonance
- 1P1-H19 「握り具合」を入力とする円筒型インタフェースの開発(ハプティックインタフェース)
- 1A1-H12 力ベクトル分布情報に基づく物体の形状変化の識別(触覚と力覚)
- 3a-E-12 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光の測定
- 3a-E-10 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導II
- 量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
- 28a-X-2 量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
- 31p-N-11 ストレッサが2次元電子ガスに及ぼすポテンシャル形状のワイス振動による研究
- 31p-N-11 ストレッサが2次元電子ガスに及ぼすポテンシャル形状のワイス振動による研究
- 第8回分子線エピタキシー国際会議(MBE-VIII)報告
- 第6回アジア・太平洋物理学会(6APPC)報告
- 日本物理学会編, 表面新物質とエピタクシー, 培風館, 東京, 1992, 264p, 21.5×15.5cm, \5,356
- 第5回アジア・西太平洋物理学会議に参加して
- 24aWE-5 磁場中の間接型半導体ヘテロ構造におけるキャリア局在効果(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 3a-E-10 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導II(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
- 3a-E-12 量子ホール効果デバイスからのサイクロトロン発光の測定(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
- 3a-E-11 量子ホール効果デバイスにおける電流注入II(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)
- 3a-E-9 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性II(3aE 半導体,低温合同(メゾスコピック,量子ホール効果),低温)