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応用物理学会の論文
1993-01-10

著者

白木靖寛
都市大総研
白木靖寛
東大先端研

関連論文

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20pTH-6 半導体ナノ構造における電子・正孔空間分離型励起子からの磁気発光ダイナミクス
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二次元アンチドット格子系の強磁場磁気抵抗
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エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
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29p-YC-8 緩和したSiGe/Siエピタキシャル膜中に誘起されるディープセンターの起源
29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
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12p-DK-1 SiGe / Siエピタキシャル膜中のディープセンター
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27a-YN-7 強磁場下及び超強磁場下におけるSi/SiGe単一量子井戸中高易動度2次元電子ガスのサイクロトロン共鳴
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2p-YH-1 超強磁場下におけるSiGe/Si単一量子井戸中高易動度2次元電子ガスのサイクロトロン共鳴
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28pーR-13 臨界電流値が試料幅にスケールしない量子ホール効果Breakdown現象
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QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる非対称性
QHE Breakdown臨界電流値以上で生じる縦抵抗の指数関数的増大
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3a-E-9 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性II
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28p-X-4 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
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30p-Q-15 量子ホール効果状態における遠赤外光伝導の時定数
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