内橋 隆 | 物質・材料研究機構
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概要
関連著者
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内橋 隆
物質・材料研究機構
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内橋 隆
物材機構
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中山 知信
物質・材料研究機構
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内橋 隆
物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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中山 知信
物材機構
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Ramsperger Urs
物質・材料研究機構
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Mishra Puneet
物質・材料研究機構
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青野 正和
東理大理
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
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青野 正和
物材機構mana
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桑原 祐司
理研
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青野 正和
物質・材料研究機構 ナノシステム機能センター
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桑原 裕司
大阪大学大学院工学研究科
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中山 知信
物材機構MANA
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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中山 知信
物材機構mana:筑波大院
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Ramsperger Urs
National Institute for Materials Science
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URS Ramsperger
金属材料技術研究所
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青野 正和
物質・材料研究機構,MANA
著作論文
- 21aYE-13 ErSi_2 ナノ細線の低温伝導測定
- 31pZE-5 シングルドメイン Si(111)-4x1-In の電気伝導度測定
- 磁性金属多層膜を用いた量子井戸状態による近藤効果の制御
- 25aTH-4 Si(111)-(√7×√3)-In表面における超伝導電流の観測(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aRC-7 シリコン表面超構造における超伝導電流(22aRC 領域9,領域4,領域6,領域7合同シンポジウム:多彩な表面系における電子輸送現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-5 Si(111)-(√7×√3)-In表面における超伝導電流の観測(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aYF-10 Si(111)-4×1-In電気伝導度の異方性測定(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))