24aYF-10 Si(111)-4×1-In電気伝導度の異方性測定(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-03-01

著者

• Ramsperger Urs

  物質・材料研究機構

• 内橋 隆

  物質・材料研究機構

関連論文

• 21aYE-13 ErSi_2 ナノ細線の低温伝導測定
• 31pZE-5 シングルドメイン Si(111)-4x1-In の電気伝導度測定
• 磁性金属多層膜を用いた量子井戸状態による近藤効果の制御
• 25aTH-4 Si(111)-(√7×√3)-In表面における超伝導電流の観測(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aRC-7 シリコン表面超構造における超伝導電流(22aRC 領域9,領域4,領域6,領域7合同シンポジウム:多彩な表面系における電子輸送現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pRC-5 Si(111)-(√7×√3)-In表面における超伝導電流の観測(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aYF-10 Si(111)-4×1-In電気伝導度の異方性測定(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

スポンサーリンク