大坂 敏明 | 早稲田大 理工
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概要
関連著者
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大坂 敏明
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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大坂 敏明
早稲田大 理工
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部
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大坂 敏明
早大理工
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大坂 敏明
早大理工:早大材研
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中村 淳
電通大電子
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中村 淳
早大材研
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江口 豊明
東大物性研:アウクスブルグ大
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江口 豊明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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江口 豊明
早大理工
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中村 淳
早大理工
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門平 卓也
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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西澤 正泰
早大理工
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大坂 敏明
早稲田大学
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趙 星彪
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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成瀬 延康
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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青野 正和
理研
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大坂 敏明
早大材研:早大理工
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趙 星彪
名大理工総研
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成瀬 延康
早大材研
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三浦 義弘
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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原 尚子
早稲田大学理工学部物理開発工学科
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中村 淳
電気通信大学電気通信学部電子工学科
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青野 正和
物材機構mana
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中田 俊隆
東北大金研
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尾本 誠一
早大理工
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大島 忠平
早稲田大学 各務記念材料技術研究所
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大島 忠平
早大材研
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大島 忠平
早稲田大学理工学部
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町田 裕之
早大・理工
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西田 慶仁
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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大島 忠平
早大材研
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稲田 健
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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門平 卓也
東大工:科学技術振興機構crest
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西田 慶仁
早大理工
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大坂 敏明
早大・理工
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高橋 龍仁
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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中村 淳
理研
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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中山 知信
理研
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加藤 良造
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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湊 龍一郎
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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古田 俊一
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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森田 英之
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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船木 貴博
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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佐藤 宏
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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中澤 秀司
早大理工
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中島 博
早大理工
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此木 秀和
早大理工
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門平 卓也
早大理工
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三浦 義弘
早大理工
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佐藤 宏
早稲田大学大学院
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中村 淳
電気通信大学大学院先進理工学専攻
著作論文
- Au/InSb(111)A系における合金形成過程
- InSb(111)A-2√3×2√3-R30゜再配列構造の評価
- InSb(111)B-(3X3)表面の核形成と成長
- フォークト関数を用いた表面内殻準位シフトの評価
- 29a-PS-4 Au吸着Si(111)表面のγ√⇔(6×6)構造変化
- 27a-PS-68 InSb(111)A-2√×2√-30°表面の構造解析
- 29a-PS-32 InSb(111)A-2√×2√-30°再配列構造の評価II
- 3a-Q-5 透過電子回折(TED)法によるInSb(111)B-(3×3)表面の構造解析
- 7a-PS-40 h-BN/Ni(111)界面における化学結合状態
- 6p-B-11 α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態II
- 5a-H-11 α-Sn(111)-(2×2)表面の構造と電子状態I
- 29a-PS-36 InSb(111)B-2×2表面の最適化構造とその電子状態
- Ge/Si(111)-Sb系表面変性エピタキシ-
- GaAs(111)A-2×2表面の電子状態と構造安定性
- 5a-Q-10 Si(111)表面上のGe擬形態層に及ぼすSbの効果
- 14a-DJ-5 単原子層グラファイト/SiC(111)系不整合界面における電荷移動機構
- 26aPS-26 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√x√)R30°-Sn表面の評価
- 29p-T-3 α-Sn(111)表面再配列構造のSTM観察
- Sn/InSb(111)A系のSTM観察
- 31a-J-3 Sn吸着InSb(111)A表面のSTMによる研究