大坂 敏明 | 早大理工:早大材研
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概要
関連著者
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大坂 敏明
早大理工:早大材研
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大坂 敏明
早大理工
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大坂 敏明
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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大坂 敏明
早稲田大 理工
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部
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中村 淳
電通大電子
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中村 淳
早大材研
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江口 豊明
東大物性研:アウクスブルグ大
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江口 豊明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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江口 豊明
早大理工
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三島 哲也
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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大坂 敏明
早大材研:早大理工
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中村 淳
早大理工
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趙 星彪
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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趙 星彪
名大理工総研
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大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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三島 哲也
早大材研
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成瀬 延康
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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中田 俊隆
東北大金研
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西澤 正泰
早大理工
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成瀬 延康
早大材研
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青野 正和
理研
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田中 信夫
国立大学法人東京工業大学男女共同参画推進センター
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大竹 晃浩
早大理工
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田中 信夫
名大理工総研
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塚田 憲児
セイコーエプソン
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中田 俊隆
早大理工
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不破 耕
早大理工
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門平 卓也
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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梅内 誠
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
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市ノ川 竹男
早大理工
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大島 忠平
早大理工
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北村 和夫
早大理工
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足立 裕彦
京大工
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青野 正和
物材機構mana
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市ノ川 竹男
早稲田大学 理工学部
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尾本 誠一
早大理工
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斎藤 英彰
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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足立 裕彦
兵庫教育大学
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斎藤 英彰
早大理工
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尾身 博雄
早大理工
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西田 慶仁
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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中川 明久
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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大坂 敏明
早稲田大学
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梅内 誠
早大材研
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梅内 誠
Nttアクセスサービスシステム研究所
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飯塚 義尚
早大材研
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梅内 誠
早大理工
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長尾 忠昭
早大理工
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飯塚 義尚
早大理工
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Franchy R
KFA Julich
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松沢 英久
早大理工
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R Franchy
Institut fur Grenzflachenforschung und Vakuumphysic
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藤間 一美
理研
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千葉 幸一郎
早大理工
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不破 耕
早大
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中川 明久
早大理工
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門平 卓也
東大工:科学技術振興機構crest
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西田 慶仁
早大理工
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北田 詔彦
日体大教養
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大坂 敏明
早大・理工
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中村 淳
理研
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三浦 義弘
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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大竹 晃浩
独立行政法人物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所ナノデバイスグループ
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中山 知信
理研
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藤間 一美
山梨大
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三島 哲也
早大理工
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塚田 憲児
早大理工
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池田 徹
早大理工
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山本 一雄
早大理工
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矢田 雅規
金材研
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足立 裕彦
兵庫教育大
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中澤 秀司
早大理工
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中島 博
早大理工
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大竹 晃浩
早大・理工
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中村 淳
早大・理工
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此木 秀和
早大理工
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門平 卓也
早大理工
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三浦 義弘
早大理工
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荻元 将人
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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趙 星彪
早大材研
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成瀬 延康
早大理工
-
矢田 雅規
早大理工
著作論文
- 26a-ZE-4 InSb/α-Sn/InSb系における極性伝播の機構
- InSb(111)A-2√3×2√3-R30゜再配列構造の評価
- 29p-BPS-47 NiA1(111)の表面フォノン
- 28pXM-1 プランビューHRTEMによるIII-V族化合物半導体の再構成表面構造の観察(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 20aPS-51 InSb{111} A, B-(2×2) 表面上での Au 蒸着素過程の直接観察
- 29a-PS-4 Au吸着Si(111)表面のγ√⇔(6×6)構造変化
- RHEEDロッキングカーブを用いたSi(111)√3×√3R30°-Au表面の構造解析
- 27a-PS-68 InSb(111)A-2√×2√-30°表面の構造解析
- 29a-PS-32 InSb(111)A-2√×2√-30°再配列構造の評価II
- InSb(111)A-√3×√3-Au吸着表面の構造解析とその形成過程
- 28a-Z-10 InSb(111)A上でのAuヘテロエピタキシー
- 5p-W-14 超高真空その場観察電子顕微鏡によるInSb{111}極性表面上でのIn成長の観察
- 5a-H-11 α-Sn(111)-(2×2)表面の構造と電子状態I
- 29a-PS-36 InSb(111)B-2×2表面の最適化構造とその電子状態
- GaAs(111)A-2×2表面の電子状態と構造安定性
- 30a-PS-29 RHEED rocking curveを用いたInSb{111}A, B表面の構造解析
- 5a-Q-10 Si(111)表面上のGe擬形態層に及ぼすSbの効果
- 14a-DJ-5 単原子層グラファイト/SiC(111)系不整合界面における電荷移動機構
- 26aPS-26 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√x√)R30°-Sn表面の評価
- 29p-T-3 α-Sn(111)表面再配列構造のSTM観察
- Sn/InSb(111)A系のSTM観察
- 31a-J-3 Sn吸着InSb(111)A表面のSTMによる研究
- InSb(001)-C(8×2)表面構造の直接観察
- 18aWD-10 HR-profile TEMによるAu/InSb{111}A,B系の界面評価
- 17pWD-11 透過電子回折法による化合物半導体極性表面のデバイ温度の見積もり
- 27a-PS-26 InSb(001)-c(8×2)表面構造
- 31a-PS-4 HR-profile TEM法による表面再構成の評価II : InSb(110)-(1×1)表面
- 8p-B-8 HR-profileTEM法による表面再構成の評価I : InSb{111}A, B-(2×2)表面
- 5p-B-10 化合物半導体におけるホモエピタキシャル成長面の動的観察I:InSb(110)表面
- 1a-RJ-10 蒸発-蒸着による固体表面の平滑化に関するMullinsモデルの数学的再検討
- 12a-N-5 アルカリ・ハライド単結晶上での金の結晶成長