大坂 敏明 | 早稲田大学各務記念材料技術研究所
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概要
関連著者
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大坂 敏明
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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大坂 敏明
早稲田大学理工学部
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大坂 敏明
早大理工
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大坂 敏明
早稲田大 理工
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大坂 敏明
早大理工:早大材研
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大坂 敏明
早稲田大学
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中村 淳
電通大電子
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江口 豊明
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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中村 淳
早大材研
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江口 豊明
東大物性研:アウクスブルグ大
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中田 俊隆
東北大金研
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江口 豊明
早大理工
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門平 卓也
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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山本 一雄
早大理工
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不破 耕
早大理工
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中村 淳
早大理工
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趙 星彪
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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成瀬 延康
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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西澤 正泰
早大理工
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西田 慶仁
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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趙 星彪
名大理工総研
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成瀬 延康
早大材研
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大坂 敏明
早大・理工
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武石 玲子
ソニー中研
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青野 正和
理研
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大島 忠平
早大理工
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松尾 真吾
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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中川 明久
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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大坂 敏明
早大材研:早大理工
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西田 慶仁
早大理工
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中田 俊隆
早大・理工
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三浦 義弘
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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中田 俊隆
早大理工
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粕壁 善隆
早稲田大学理工学部材料工学科
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武石 玲子
早大理工
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原 尚子
早稲田大学理工学部物理開発工学科
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中村 淳
電気通信大学電気通信学部電子工学科
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梅内 誠
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
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市ノ川 竹男
早大理工
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依田 真一
宇宙開発事業団
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北村 和夫
早大理工
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今石 宣之
九州大学機能物質科学研究所
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青野 正和
物材機構mana
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大井田 俊彦
宇宙開発事業団宇宙環境利用システム本部宇宙環境利用研究センター
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市ノ川 竹男
早稲田大学 理工学部
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平田 彰
早稲田大学理工学部
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
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及川 哲夫
日本電子
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平田 彰
早稲田大学理工学部 応用化学科
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尾本 誠一
早大理工
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岡野 泰則
静岡大学工学部
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新船 幸二
早稲田大学理工学部
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大島 忠平
早稲田大学 各務記念材料技術研究所
-
大島 忠平
早大材研
-
大島 忠平
早稲田大学理工学部
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町田 裕之
早大・理工
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梅内 誠
早大材研
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梅内 誠
Nttアクセスサービスシステム研究所
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飯塚 義尚
早大材研
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大島 忠平
早大材研
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梅内 誠
早大理工
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長尾 忠昭
早大理工
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飯塚 義尚
早大理工
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Franchy R
KFA Julich
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松沢 英久
早大理工
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R Franchy
Institut fur Grenzflachenforschung und Vakuumphysic
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稲田 健
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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安廣 祥一
九大
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増田 浩
早大・理工
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中川 明久
早大理工
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門平 卓也
東大工:科学技術振興機構crest
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安廣 祥一
九州大学機能物質科学研究所
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丸山 直紀
早大・理工
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北田 詔彦
日体大教養
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吉野 幸明
早大・理工
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高橋 龍仁
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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中村 淳
理研
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藤原 省悟
早稲田大学理工学部
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興津 和彦
静岡大学電子工学研究所
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酒井 奨
静岡大学工学部
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野島 孝夫
早稲田大学大学院
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青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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佐藤 正人
早稲田大学理工学部材料工学科
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興津 和彦
静大電研
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大竹 晃浩
独立行政法人物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所ナノデバイスグループ
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中山 知信
理研
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野島 孝夫
早大院
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大井田 俊彦
宇宙開発事業団
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塚田 憲児
セイコーエプソン
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塚田 憲児
早大理工
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池田 徹
早大理工
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矢田 雅規
金材研
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加藤 良造
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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湊 龍一郎
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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古田 俊一
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
森田 英之
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
船木 貴博
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
佐藤 宏
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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中澤 秀司
早大理工
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中島 博
早大理工
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此木 秀和
早大理工
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門平 卓也
早大理工
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三浦 義弘
早大理工
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木村 仁史
ソニー中研
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早藤 貴範
ソニー中研
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木村 仁史
ソニー中央研究所
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大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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福島 正人
早大理工
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酒井 奨
静大院
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三島 哲也
早稲田大学各務記念材料技術研究所
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荻元 将人
早稲田大学理工学部物質開発工学科
-
矢田 雅規
早大理工
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國司 徹
早稲田大学理工学部材料工学科
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山本 一雄
早稲田大学理工学部材料工学科
-
Okano Y
Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn
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早藤 貴範
ソニー超LSI研究所
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不破 耕
早稲田大学・理工学部
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佐藤 宏
早稲田大学大学院
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中村 淳
電気通信大学大学院先進理工学専攻
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大坂 敏明
早稲田大学・理工学部
著作論文
- Au/InSb(111)A系における合金形成過程
- InSb(111)A-2√3×2√3-R30゜再配列構造の評価
- Au/Si(111)-γ(√×√)R30°表面形成過程の評価
- 29p-BPS-47 NiA1(111)の表面フォノン
- 29p-PS-37 TED法によるInSb{111}極性面上における酸素吸着構造の解析
- InSb(111)B-(3X3)表面の核形成と成長
- 製錬と腐食
- 濃度差マランゴニ対流に基づく多元系化合物半導体融液の均一分散・混合化
- 価値の容認
- KCl下地表面構造とその上でのSn蒸着粒子のエピタキシャル成長 : 微粒子・薄膜
- フォークト関数を用いた表面内殻準位シフトの評価
- 29a-PS-4 Au吸着Si(111)表面のγ√⇔(6×6)構造変化
- 27a-PS-68 InSb(111)A-2√×2√-30°表面の構造解析
- 29a-PS-32 InSb(111)A-2√×2√-30°再配列構造の評価II
- 3a-Q-5 透過電子回折(TED)法によるInSb(111)B-(3×3)表面の構造解析
- 透過電子回折法による化合物半導体の表面構造解析
- 28a-Z-10 InSb(111)A上でのAuヘテロエピタキシー
- 透過電子回折法によるInSb{111}表面の原子配列の決定
- 27a-ZD-13 TED法によるInSb{111}表面原子配列の決定
- 5p-W-14 超高真空その場観察電子顕微鏡によるInSb{111}極性表面上でのIn成長の観察
- 7a-PS-40 h-BN/Ni(111)界面における化学結合状態
- 6p-B-11 α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態II
- 5a-H-11 α-Sn(111)-(2×2)表面の構造と電子状態I
- 29a-PS-36 InSb(111)B-2×2表面の最適化構造とその電子状態
- Ge/Si(111)-Sb系表面変性エピタキシ-
- GaAs(111)A-2×2表面の電子状態と構造安定性
- 5a-Q-10 Si(111)表面上のGe擬形態層に及ぼすSbの効果
- 14a-DJ-5 単原子層グラファイト/SiC(111)系不整合界面における電荷移動機構
- 26aPS-26 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√x√)R30°-Sn表面の評価
- 29p-T-3 α-Sn(111)表面再配列構造のSTM観察
- Sn/InSb(111)A系のSTM観察
- 31a-J-3 Sn吸着InSb(111)A表面のSTMによる研究
- 業績評価のあり方
- InSb(001)-C(8×2)表面構造の直接観察
- 1a-RJ-10 蒸発-蒸着による固体表面の平滑化に関するMullinsモデルの数学的再検討
- アルカリハライド下地上での薄膜のグラフェオピタキシー
- Au/Si(111)-γ(√×√)R30°表面形成過程の評価
- 3p-T-9 InSb{111}上でのダイアモンド型Sn成長に関する一考察
- 4a-Q-4 MgO(100)上におけるPd(100)クラスターの電子状態
- アルカリハライド上におけるAuの初期成長 : ―化学結合論的視点から―
- 27a-E-5 単原子層グラファイト/Ni(111)系における電荷移動機構
- ヘテロエピタキシ-素過程の化学結合論的考察
- 学科が変わった (金属学・材料科学をどう教えどう学ぶか) -- (カリキュラムはこれでよいのだろうか)
- グラフォエピタキシ---SOI素子,3次元LSIへの応用が期待される新しい薄膜成長法