成瀬 延康 | 早大材研

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概要

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• 成瀬 延康

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 成瀬 延康

  早大材研

• 趙 星彪

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 趙 星彪

  名大理工総研

• 大坂 敏明

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 大坂 敏明

  早大理工:早大材研

• 大坂 敏明

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• 門平 卓也

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 大坂 敏明

  早大理工

• 大坂 敏明

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 大坂 敏明

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• 大坂 敏明

  早稲田大 理工

• 原 尚子

  早稲田大学理工学部物理開発工学科

• 中村 淳

  電気通信大学電気通信学部電子工学科

• 中村 淳

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• 田中 信夫

  国立大学法人東京工業大学男女共同参画推進センター

• 稲田 健

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

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• 田中 信夫

  名大理工総研

• 高橋 龍仁

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 大竹 晃浩

  独立行政法人物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所ナノデバイスグループ

• 大竹 晃浩

  独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 三島 哲也

  早稲田大学各務記念材料技術研究所

• 荻元 将人

  早稲田大学理工学部物質開発工学科

• 成瀬 延康

  早大理工

• 中村 淳

  電気通信大学大学院先進理工学専攻

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著作論文

• Au/InSb(111)A系における合金形成過程
• 28pXM-1 プランビューHRTEMによるIII-V族化合物半導体の再構成表面構造の観察(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• InSb(111)B-(3X3)表面の核形成と成長
• InSb(001)-C(8×2)表面構造の直接観察
• 17pWD-11 透過電子回折法による化合物半導体極性表面のデバイ温度の見積もり

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