梨本 泰信 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

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関連著者

• 梨本 泰信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 水田 正志

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 水田 正志

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 三好 陽介

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 麻埜 和則

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 根岸 均

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 麻埜 和則

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 葛原 正明

  日本電気

• 石倉 幸治

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 水田 正志

  Nec光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 石倉 幸治

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 及川 洋一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 及川 隆一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 上村 和義

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 伊藤 仁彦

  Nec基礎研究所

• 望月 康則

  NEC基礎研

• 望月 康則

  Nec基礎研究所

• 葛原 正明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 河野 通久

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 筒井 宏彰

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 佐本 典彦

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  Nec 光・無線デバイス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開研

• 中村 純一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 水田 正忠

  光・超高周波デバイス研究所

• 石倉 幸浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 高橋 英匡

  NECULSIデバイス開発研究所

• 河野 通久

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 高橋 英匡

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 西村 善一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 根岸 均

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 梨本 泰信

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所

• 筒井 宏彰

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

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著作論文

• C-10-6 正電源動作低雑音HJFETの低ソース抵抗化
• X帯MMIC用単一正電源動作FET
• C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
• Electroreflectance法によるGaAs-MIS界面評価
• 35V動作高出力FPFET
• 35V動作高出力FPFET
• 35V動作高出力FPFET
• 新構造GaAs高出力FPFET
• GaAs MESFET耐圧へのパッシベーション界面ストイキオメトリの影響
• EOSによる高出力FETのアンバランス動作解析
• Ka帯高出力増幅器MMIC用高電力密度FET
• Cat-CVD Sinx膜による低損傷GaAsデバイスパッシベーション
• K帯AlGaAs/INGaAs/GaAs超低雑音HJFET
• C帯超低雑音HJFETの開発
• パッケージHJFETの雑音解析 : ゲート幅依存性

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