安藤 裕二 | Nec 光・無線デバイス研究所
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概要
関連著者
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安藤 裕二
Nec 光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
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Contrata W.
NEC光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NEC
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岡本 康宏
NEC
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安藤 裕二
NEC光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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岡本 康宏
NEC 光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC 光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NEC
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笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC光・無線デバイス研究所
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笠原 健資
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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安藤 裕二
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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岡本 康宏
NEC光・無線デバイス研究所
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Contrata Walter
日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
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Contrata W
日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
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佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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Contrata W.
NEC 光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
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安藤 裕二
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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安藤 裕二
NEC関西エレクトロニクス研究所
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羽山 信幸
Nec
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堀 恭子
Nec関西エレクトロニクス研究所
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根岸 均
NEC ULSIデバイス開発研究所
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梨本 泰信
NEC ULSIデバイス開発研究所
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ウォルタ コントラッタ
NEC関西エレクトロニクス研究所
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井上 隆
NEC 光・無線デバイス研究所
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コントラッタ ウォルター
Nec 関西エレクトロニクス研究所
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コントラッタ ウォルタ
Nec 関西エレクトロニクス研究所
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Contrata Walter
Nec関西エレクトロニクス研究所
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ウォルター コントラッタ
Nec関西エレクトロニクス研究所
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根岸 均
日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所
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梨本 泰信
日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所
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Contrata Walter
Nec光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
著作論文
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- パッケージHJFETの雑音解析 : ゲート幅依存性
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- SC-10-3 Interpretation of Microwave GaAs MESFET Output Admittance and Evaluation of Equivalent Circuit Models by Physical Simulation
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- 物理デバイスを組み込んだ回路シミュレーション
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