葛原 正明 | ULSIデバイス開発研究所
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概要
関連著者
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葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
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葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
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葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC
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安藤 裕二
NEC
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岡本 康宏
NEC
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葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会
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岡本 康宏
財団法人新機能素子研究開発協会
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安藤 裕二
財団法人新機能素子研究開発協会
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宮本 広信
財団法人新機能素子研究開発協会
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岡本 康宏
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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中山 達峰
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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安藤 裕二
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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宮本 広信
(財)新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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井上 隆
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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安藤 裕二
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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幡谷 耕二
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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井上 隆
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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中山 達峰
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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宮本 広信
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
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幡谷 耕二
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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葛原 正明
日本電気
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柴田 直樹
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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葛原 正明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NEC光・無線デバイス研究所
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千田 昌伸
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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平田 宏治
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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播谷 耕二
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスR&Dセンター
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井上 隆
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NEC光・無線デバイス研究所
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井上 隆
NEC光・無線デバイス研究所
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井上 隆
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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笠原 健資
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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宮本 広信
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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安藤 裕二
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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岡本 康宏
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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中山 達峰
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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葛原 正明
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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平田 宏治
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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千田 昌伸
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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小嵜 正芳
財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイスr&dセンター
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中山 達峰
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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葛原 正明
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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岡本 康宏
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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安藤 裕二
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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井上 隆
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
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山口 佳子
Nec関西エレクトロニクス研究所
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富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NEC関西エレクトロニクス研究所
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分島 彰男
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
NEC化合物デバイス事業部
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葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
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分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
NEC関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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冨士原 明
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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水木 恵美子
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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中山 達峰
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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宮本 広信
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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金森 幹夫
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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及川 洋一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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笠原 健資
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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中山 達峰
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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安藤 裕二
Nec 光・無線デバイス研究所
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中山 連峰
(財)新機能素子研究開発協会
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岡本 康宏
NEC 光・無線デバイス研究所
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宮本 広信
NEC 光・無線デバイス研究所
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麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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及川 洋一
ULSIデバイス開発研究所
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井上 隆
NEC 光・無線デバイス研究所
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金森 幹夫
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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森川 純子
NEC ULSIデバイス開発研究所
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小野 文伸
日本電気株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部化合物半導体部
-
新宮 善蔵
日本電気株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部化合物半導体部
-
麻埜 和則
ULSIデバイス開発研究所化合物開発部
-
森川 純子
ULSIデバイス開発研究所化合物開発部
-
江森 文章
日本電気株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部化合物半導体部
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
恩田 和彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
-
水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
著作論文
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 携帯電話基地局用L帯50W GaAs MESFET