高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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フィールドプレート(FP)を有するAlGaN/GaNヘテロ接合FETにゲートリセスを適用した。リセスの適用によって相互コンダクタンスが130mS/mmから200mS/mmに向上した結果、2GHzで4dB以上高い小信号利得が実現できた。また、電流コラプスの評価により、ゲートリセスの適用により表面トラップの影響が抑制できることを確認した。マルチセル素子のパワー測定を実施し、ゲート幅24mmのリセス構造FP-FETにて、飽和出力120W、線形利得9.2dB、電力付加効率54%を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-26
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
安藤 裕二
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
幡谷 耕二
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
井上 隆
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
中山 達峰
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
宮本 広信
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
葛原 正明
財団法人 新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスR&Dセンター
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
-
幡谷 耕二
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
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