短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
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概要
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短チャネルAl_0.25Ga_0.75N/GaNヘテロ接合FETを試作した。ゲート長Lg=0.07μm,ゲート幅Wg=2×50μmにて、f_T=81GHz、fmax=190GHz、MSG=8.2dB@60GHzと、良好な高周波特性を得ることができた。更に、本デバイスについて遅延時間解析を行った。寄生成分を効果的に除去する方法を用いることにより、電子平均速度v_a=1.75×10^7cm/sが算出された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-03
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
笠原 健資
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
岡本 康宏
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
中山 達峰
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
葛原 正明
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
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