Ka帯2.3W出力AIGaN/GaNヘテロ接合FET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SiC基板上に作製したAIGaN/GaNヘテロ接合FETで、初めてワット級のKa帯パワー動作を確認したので報告する。短チャネルGaN系FETにおける高耐圧、大電流、高利得といった特長を生かして、ゲート幅0.36mmの単チップでKa帯において出力2Wを超えるパワー動作の最高記録を達成した。試作したゲート幅100μmのFETのMSGが、ゲート長0.07μmでは30GHzにおいて10.5dB(60GHzにおいて8.2dB)、ゲート長0.25μmでは30GHzにおいて9.2dB(60GHzにおいて6.2dB)と良好であったことから、短チャネルAIGaN/GaNヘテロ接合FETはKa帯あるいはそれ以上の周波数における様々な高出力応用に有望であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-09
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
笠原 健資
NEC光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
笠原 健資
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
岡本 康宏
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
中山 達峰
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
-
葛原 正明
NECラボラトリーズ 光一無線デバイス研究所
関連論文
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 10-C-8 50V動作InGaPチャネルField-Modulating Plate MESFET
- C-10-6 L帯低歪み230W GaAs FP-HFFT
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
- InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- SC-7-11 AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波特性
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 窒化物半導体高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaN系高出力ヘテロ接合FET技術
- Ka帯2.3W出力AIGaN/GaNヘテロ接合FET
- Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SC-6-8 SiC基板上のマイクロ波高出力AlGaN/GaN FET
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- C-10-7 SiN保護膜を有するAlGaN/GaN系高出力ヘテロ接合FET
- L帯100W高電圧動作FP-HFET
- 35V動作高出力FPFET
- 35V動作高出力FPFET
- 新構造GaAs高出力FPFET
- 高電圧動作AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波パワー特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フィールドプレートを有する高耐圧・高出力AlGaN/GaNリセスゲートFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNリセス構造FP-FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ka帯3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- 60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 60GHz帯MMIC広帯域高出力増幅器
- 60GHz帯MMIC 2段広帯域出力増幅器
- 60GHz 帯受信モジュール
- 60GRz 帯 FM/FSK 送信モジュール
- 22GHz帯高出力AlGaAs/InGaAs HJFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- 高バイアス動作GaAs高出力FP-HFET
- InGaPゲート埋込み構造を有するAlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET
- L帯100W出力AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 衛星搭載用L帯低歪み高効率電力増幅器
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討
- L帯60W AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET
- 低熱抵抗L帯高出力GaAsMESFET
- S帯高効率30W電力増幅器
- 携帯電話基地局用L帯50W GaAs MESFET
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- n-AlGaN/GaNにおける低温アニールTi/Alオーミックコンタクト
- AlGaN/GaNヘテロ接合FETのマイクロ波高出力特性
- 薄層サファイヤ基板上AlGaN/GaN HJFETの特性
- マイクロストリップ線路に結合した60GHz帯誘電体共振器
- 60GHz 帯高出力MMIC誘電体共振発振器
- 60GHz 帯 MMIC 誘電体装荷電圧制御発振器
- 60GHz帯MMIC3段広帯域高出力増幅器
- ミリ波帯ヘテロ接合FET MMIC電圧制御発振器
- 60GHz安定化MMIC信号源
- ミリ波帯MMIC誘電体安定化電圧制御発振器
- ミリ波帯AlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET MMIC発振器
- MoTiPtAu電極を用いた高信頼ミリ波HIFET
- ミリ波帯ヘテロ接合FETMMIC電圧制御発振器
- V帯MMIC誘電体共振発振器
- 60GHz帯MMIC2段高出力増幅器
- ミリ波帯ヘテロ接合FET MMIC発振器
- 高出力30-60GHzMMIC逓倍増幅器
- AIGaAs/InGaAsヘテロ接合FETを用いた60GHz帯低雑音増幅器
- V帯2段低雑音増幅器MMIC
- ソース注入概念による60GHz帯ダウン及びアップコンバータMMIC
- 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Ka帯1.48W高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- 高電圧動作InGaPチャネルField-Modulating Plate FET
- GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
- C-10-8 フィールドプレートを有する高電圧動作高出力HJFET
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
- GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
- SC-10-3 Interpretation of Microwave GaAs MESFET Output Admittance and Evaluation of Equivalent Circuit Models by Physical Simulation
- SC-10-3 Interpretation of Microwave GaAs MESFET Output Admittance and Evaluation of Equivalent Circuit Models by Physical Simulation