35V動作高出力FPFET
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概要
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AlGaAs/GaAs HFETにField-Modulating Plate(FP)を装荷した新構造の高出力FET(FPFET)を開発した。FP無しの従来構造に比べて20V近い耐圧の向上が得られ、さらにドレイン電流の周波数分散も大幅に抑制されることが確認された。本FETは1.5GHzにおいてドレイン電圧35Vまで動作し、Wg=4.5mm素子で出力7.5W(出力密度1.7W/mm)、電力付加効率52%という良好な値が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-22
著者
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
水田 正志
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
水田 正志
Nec光・無線デバイス研究所
-
水田 正志
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
石倉 幸治
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
麻埜 和則
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
石倉 幸治
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
梨本 泰信
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
麻埜 和則
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
三好 陽介
NEC ULSIデバイス開発研究所
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