水田 正志 | Nec光・無線デバイス研究所

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概要

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• 水田 正志

  Nec光・無線デバイス研究所

• 水田 正志

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 水田 正志

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 麻埜 和則

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 梨本 泰信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 望月 康則

  NEC基礎研

• 麻埜 和則

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 三好 陽介

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 望月 康則

  Nec基礎研究所

• 山口 敦史

  Nec基礎研

• 葛原 正明

  日本電気

• 石倉 幸治

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 石倉 幸治

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 倉本 大

  NEC光・無線デバイス研究所

• 碓井 彰

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 山口 敦史

  金沢工大 ものづくり研

• 水田 正志

  Nec光・超高研

• 碓井 彰

  古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室

• 酒井 朗

  名古屋大学工学研究科

• 酒井 朗

  Nec基礎研究所

• 酒井 朗

  名古屋大学

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 笹岡 千秋

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 渡辺 久恒

  日本電気(株)中央研究所

• 伊藤 仁彦

  Nec基礎研究所

• 荒木田 孝博

  Nec光・無線デバイス研究所

• 木村 明隆

  NEC光・無線デバイス研究所

• 仁道 正明

  NEC光・無線デバイス研究所

• 笹岡 千秋

  Nec光・無線デバイス研究所

• 黒田 尚孝

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 砂川 晴夫

  NEC光・無線デバイス研究所

• 碓井 彰

  NEC光・無線デバイス研究所

• 砂川 晴夫

  古河機械金属株式会社研究開発本部ナイトライド事業室

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著作論文

• C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
• FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性
• FIELO-GaN基板上InGaN量子井戸の光学特性
• 35V動作高出力FPFET
• 35V動作高出力FPFET
• 選択成長を用いたn-GaN基板上InGaN MQWリッジ型LDの作製 (窒化物・青色光半導体)
• 技術開発 青紫色GaN系レーザダイオード (ストレージソリューション技術特集)
• 22aB7 FIELO技術を用いたGaN結晶の低転位化(気相成長II)
• 結晶成長はどこまでミクロに制御できるか (極限技術と応用物理特集号) -- (材料技術の極限)

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